RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
66
72
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
2,978.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
72
Скорость чтения, Гб/сек
2,929.1
15.3
Скорость записи, Гб/сек
2,978.2
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
511
1817
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
INTENSO 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link