SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB против Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Средняя оценка

Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB

Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 13.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,381.6 11.3

Среднее значение в тестах

Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB

Причины выбрать
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 60

Около -62% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

60 37
Скорость чтения, Гб/сек

5,082.2 13.6
Скорость записи, Гб/сек

2,381.6 11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

925 2656

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB

Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

Kingston XRGM6C-MIE 16GB

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Kingston 9905711-038.A00G 8GB

Kingston 9905711-038.A00G 8GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB

ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB

модули RAM