SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB против Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Средняя оценка

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14 11.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8,883.4 6.8

Среднее значение в тестах

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Причины выбрать
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 44

Около -42% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 31
Скорость чтения, Гб/сек

14,740.4 11.7
Скорость записи, Гб/сек

8,883.4 6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2811 1763

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB

Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB

Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston KVR26N19D8/16 16GB

Kingston KVR26N19D8/16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

модули RAM

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB

Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB

модули RAM

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Super Talent F24EB8GS 8GB

Super Talent F24EB8GS 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB

Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB

Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB

модули RAM