SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 17.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,303.7 15.2

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 117

Около -266% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

117 32
Скорость чтения, Гб/сек

3,094.8 17.5
Скорость записи, Гб/сек

2,303.7 15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

784 3469

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

модули RAM

Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Kingston XVTW4H-MIE 32GB

Kingston XVTW4H-MIE 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB

модули RAM

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB

Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N

модули RAM

Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB

Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB

Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB

A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB

модули RAM