SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB против Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB

SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB

Средняя оценка

Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB

Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

1,971.3 1,915.8

Среднее значение в тестах

Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB

Причины выбрать
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

64 77

Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения

4 3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

6400 5300

Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB

Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR2
Задержка в PassMark, нс

77 64
Скорость чтения, Гб/сек

3,099.1 4,472.0
Скорость записи, Гб/сек

1,971.3 1,915.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 6400

Other

Описание

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Тайминги / частота

no data 5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

757 726

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB

ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB

Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB

Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB

Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB

модули RAM