SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB против Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Средняя оценка

Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB

Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 13.1

Среднее значение в тестах

Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB

Причины выбрать
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 68

Около -172% меньшая задержка
Выше скорость записи

6.4 1,670.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

68 25
Скорость чтения, Гб/сек

3,554.9 13.1
Скорость записи, Гб/сек

1,670.7 6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

513 2066

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Panram International Corporation M424016 4GB

Panram International Corporation M424016 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB

Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB

Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB

SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston XCCT36-MIE 16GB

Kingston XCCT36-MIE 16GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB

Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB

модули RAM