RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB против InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
68
101
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.7
1,670.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
101
Скорость чтения, Гб/сек
3,554.9
12.1
Скорость записи, Гб/сек
1,670.7
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
513
1382
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link