RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
3,071.4
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
70
Около -204% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
17.0
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2935
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link