RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
54
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
2834
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link