RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
66
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
66
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
1877
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link