RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
80
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
80
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
1775
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link