RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
54
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
11.6
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
2227
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link