RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
60
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
7.8
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2.8
1,781.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
60
Скорость чтения, Гб/сек
4,269.3
7.8
Скорость записи, Гб/сек
1,781.8
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
618
1505
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link