STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB

-->

Средняя оценка

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Средняя оценка

Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB

Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 21.6

Среднее значение в тестах

Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB

Причины выбрать
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

18 63

Около -250% меньшая задержка
Выше скорость записи

16.5 1,447.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 18
Скорость чтения, Гб/сек

3,231.0 21.6
Скорость записи, Гб/сек

1,447.3 16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

478 3889

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB

DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB

Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-151.A00LF 2GB

Kingston 9905403-151.A00LF 2GB

Kingston 9905402-664.A00LF 4GB

Kingston 9905402-664.A00LF 4GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Kingston 9905701-098.A00G 16GB

Kingston 9905701-098.A00G 16GB

модули RAM