RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
63
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.4
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3579
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link