RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
63
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.9
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
20.3
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
17.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3983
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5403-003.A00LF 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link