STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB

-->

Средняя оценка

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 16.6

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 63

Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.6 1,447.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 5300

Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 30
Скорость чтения, Гб/сек

3,231.0 16.6
Скорость записи, Гб/сек

1,447.3 11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 21300

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

478 2951

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

модули RAM

Mushkin 996902 2GB

Mushkin 996902 2GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB

Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB

модули RAM

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB

модули RAM