RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
63
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
14.0
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2616
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link