RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
63
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2968
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link