RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
63
Около -186% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.3
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3036
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link