RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
63
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
20.1
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3260
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link