RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
63
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2880
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link