RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
63
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2955
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link