RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
63
Около -66% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3030
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link