RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
63
Около -186% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2989
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link