STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

-->

Средняя оценка

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 10.1

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

54 63

Около -17% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.2 1,447.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 54
Скорость чтения, Гб/сек

3,231.0 10.1
Скорость записи, Гб/сек

1,447.3 8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

478 2313

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB

Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB

Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston 9905630-039.A00G 16GB

Kingston 9905630-039.A00G 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000

модули RAM

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston KHX2400C14/16G 16GB

Kingston KHX2400C14/16G 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

модули RAM