STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

-->

Средняя оценка

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15.9

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 63

Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.6 1,447.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 5300

Около 4.83 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 32
Скорость чтения, Гб/сек

3,231.0 15.9
Скорость записи, Гб/сек

1,447.3 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 25600

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

478 2240

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB

Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Kingston 9965596-035.B00G 4GB

Kingston 9965596-035.B00G 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB

Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Micron Technology AFLD48EH1P 8GB

Micron Technology AFLD48EH1P 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB

Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

модули RAM

Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB

модули RAM