RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
63
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.1
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.8
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3434
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link