RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сравнить
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
-->
Средняя оценка
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
68
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,944.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
5300
Около 4.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,973.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,944.9
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
23400
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
673
3245
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Сравнения RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link