RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
48
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.1
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
48
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2080
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link