RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
46
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
31
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3115
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link