RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
11
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.1
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
11.0
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
1775
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link