RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
46
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.8
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
31
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3672
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link