RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
19.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
46
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
38
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
19.3
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3246
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link