RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    5 left arrow 16.2
    Среднее значение в тестах
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 46
    Около -77% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.7 left arrow 1,852.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 6400
    Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 26
  • Скорость чтения, Гб/сек
    5,535.6 left arrow 16.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,852.4 left arrow 12.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    858 left arrow 2728

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
модули RAM
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
модули RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
модули RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
модули RAM
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
модули RAM
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
модули RAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
модули RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
модули RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
модули RAM