RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.4
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
10.2
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2124
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link