RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
46
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
34
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2583
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link