RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
10.8
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2349
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link