RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
46
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.3
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
38
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
13.4
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2298
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link