RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
1897
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link