RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    5 left arrow 20.2
    Среднее значение в тестах
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    18 left arrow 46
    Около -156% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    16.2 left arrow 1,852.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 6400
    Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 18
  • Скорость чтения, Гб/сек
    5,535.6 left arrow 20.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,852.4 left arrow 16.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    858 left arrow 3536

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Сравнения RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
модули RAM
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
модули RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
модули RAM
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
модули RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
модули RAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
модули RAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
модули RAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
модули RAM