RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3198
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link