RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
90
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.7
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
90
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
1743
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1600C10-8GAO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL10 Series 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link