RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
50
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.9
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2709
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link