RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
50
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2982
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link