takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB

-->

Средняя оценка

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 18.8

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

20 50

Около -150% меньшая задержка
Выше скорость записи

15.1 1,457.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

50 20
Скорость чтения, Гб/сек

3,757.3 18.8
Скорость записи, Гб/сек

1,457.4 15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

557 3162

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905702-029.A00G 8GB

Kingston 9905702-029.A00G 8GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Kingston 9905599-025.A00G 8GB

Kingston 9905599-025.A00G 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Maxsun MSD44G24Q0 4GB

Maxsun MSD44G24Q0 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB

Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Kingston 9905624-008.A00G 8GB

Kingston 9905624-008.A00G 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston KTD3KX-MIB 8GB

Kingston KTD3KX-MIB 8GB

модули RAM