RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
50
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.0
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3112
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-4GXM 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link