RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
64
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.3
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
64
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2205
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link