TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 16.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

870.4 11.9

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 87

Около -172% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

87 32
Скорость чтения, Гб/сек

3,155.6 16.4
Скорость записи, Гб/сек

870.4 11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

417 2973

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Kingston 9965589-030.D01G 8GB

Kingston 9965589-030.D01G 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

модули RAM

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Kingston 9905630-066.A00G 16GB

Kingston 9905630-066.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 9905712-048.A00G 16GB

Kingston 9905712-048.A00G 16GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Kingston X74R9W-MIE 8GB

Kingston X74R9W-MIE 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB

Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB

модули RAM

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB

модули RAM

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Teclast TLD416G26A30 16GB

Teclast TLD416G26A30 16GB

модули RAM

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Kingston 9905665-020.A00G 4GB

Kingston 9905665-020.A00G 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB

модули RAM