RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
6.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
69
87
Около -26% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
69
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
13.6
Скорость записи, Гб/сек
870.4
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
1598
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link